(株)デルファイレーザージャパン
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WAFER LASER GROOVING SYSTEM
ウエハーレーザ溝切装置
レーザーシステムWAFER LASER GROOVING SYSTEはLD励起固体レーザーを搭載しており、主に半導体ウエハの精密微細溝加工に適用されています。
Si、化合物、ガラスに対応しており、材質により搭載レーザーが異なります。基板サイズは最大12インチに対応したモデルを用意しております。
加工例
特徴
固体レーザー搭載
12インチウエハに対応
高精度位置決め
溝幅/震度制御可能
メンテナンスフリー
仕様
レーザ: 固体レーザ355nm/532nm/1064nm
最大加工範囲:12インチ
加工速度: 600mm/s以下
位置決め精度:士2μm
原み: 1mm以下
クラック:6μm以下
加工深度: 10μm以上
アプリケーション
Low-k薄膜ウエハ
金属コーティングウエハ
極薄ウエハ
シリコンウエハ
ガラスウエハ
SiCウエハ
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